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Baird hat seine 'outperform'-Einstufung für Navitas Semiconductor (NASDAQ:NVTS), den Leistungschiphersteller, bekräftigt und argumentiert, dass die jüngste Zusammenarbeit mit Nvidia das Unternehmen positioniere, von einer Neugestaltung der Stromsysteme in Rechenzentren für künstliche Intelligenz zu profitieren. Navitas kündigte ein 24‑Kilowatt‑Power‑Delivery‑Board an, das 800 Volt Gleichstrom i...
TORRANCE, Calif., 12. Okt. 2026 (GLOBE NEWSWIRE) -- Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), ein führendes Unternehmen für leistungsfähige Leistungshalbleiter und Power‑Delivery‑Lösungen, das Pionierarbeit in GaN-, Hochspannungs‑ und Ultrahochspannungs‑SiC‑ sowie IVR‑Technologien leistet, gab heute seine neueste 24 kW starke 800‑V‑zu‑12‑V DC‑DC Power‑Delivery‑Platine (PDB) bekannt, angetrieben von...
Vervollständigt Navitas' Hochleistungsportfolio mit Claros' IVR-Technologie, ermöglicht vertikale und eingebettete Architekturen und liefert den letzten Schritt der Stromversorgung bis zum Core
Die Lösung kombiniert digitale Leistungssteuerung, GaN‑Technologie und hardwarebasierte Sicherheit, um die Entwicklung hocheffizienter Rack‑Stromversorgungssysteme auf Basis des 800V‑DC‑OCP‑Standards zu beschleunigen. Die Lösung kombiniert digitale Leistungssteuerung, GaN‑Technologie und hardwarebasierte Sicherheit, um die Entwicklung hocheffizienter Rack‑Stromversorgungssysteme auf Basis des 8...
Navitas Semiconductor Corp (Nasdaq:NVTS) erhielt einen Auftrag des US Army zur Entwicklung von 10 kV Siliziumkarbid-Leistungschips für Militärsysteme. Der Auftrag umfasst das ALATTIS-Prototypprojekt, das einen inländischen Herstellungsprozess für Siliziumkarbid-isolierte Gate-Bipolartransistoren und zugehörige PiN-Dioden zum Ziel hat.
Die Navitas Semiconductor (NVTS)-Aktie eröffnete am Dienstag im Plus, nachdem das Unternehmen von der US Army für ihre prestigeträchtige Advanced High-Power Electronics (ALATTIS)-Initiative ausgewählt wurde. Unter diesem Vertrag wird das Leistungs-Halbleiterunternehmen die inländische Entwicklung einer ultra-hochspannungsfähigen 10 kV Silicon Carbide (SiC)-Technologie für kritische Verteidigung...
TORRANCE, Calif., 28. Sept. 2026 (GLOBE NEWSWIRE) -- Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), der Branchenführer für die nächste Generation von GaNFast™ Galliumnitrid (GaN) und GeneSiC™ Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleitern, gab heute bekannt, dass ihm das ALATTIS-Programm (Accelerated, Large-Area, 10 kV SiC IGBT) zur Entwicklung einer Siliziumkarbid (SiC)-Leistungshalbleitertechnologie der nä...
SEOUL, South Korea--(BUSINESS WIRE)--Magnachip Semiconductor Corporation (NYSE: MX) („Magnachip“ oder das „Unternehmen“), ein Entwickler und Hersteller von Analog‑ und Mixed‑Signal‑Leistungs‑Halbleiterplattformlösungen, gab heute bekannt, dass Navitas Semiconductor Corporation (Nasdaq: NVTS) („Navitas“) zugestimmt hat, eine strategische Eigenkapitalbeteiligung in Höhe von 5 Mio. USD an Magnachi...
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