Navitas Semiconductor Aktie News

SEOUL, South Korea--(BUSINESS WIRE)--Magnachip Semiconductor Corporation (NYSE: MX) („Magnachip“ oder das „Unternehmen“), ein Entwickler und Hersteller von Analog‑ und Mixed‑Signal‑Leistungs‑Halbleiterplattformlösungen, gab heute bekannt, dass Navitas Semiconductor Corporation (Nasdaq: NVTS) („Navitas“) zugestimmt hat, eine strategische Eigenkapitalbeteiligung in Höhe von 5 Mio. USD an Magnachi...

Die Kombination von Navitas' proprietärer Gen 5 GaNFast™-Technologie und -Expertise mit GlobalFoundries' fortschrittlicher US‑200‑mm‑Fertigung und Prozessbasis stärkt die US‑Führungsrolle im Bereich GaN und sichert die heimische Lieferkette für KI‑und kritische Infrastrukturen der nächsten Generation.

Die vorgeschlagene Übernahme soll den letzten Schritt in der Energieversorgung bis zum Kern liefern, um Navitas’ Grid-to-xPU-Hochleistungsportfolio zu vervollständigen, und damit die KI-Infrastrukturoffensive im Rahmen der Navitas‑2.0‑Transformation beschleunigen

Die Aktien von Navitas Semiconductor (NASDAQ: NVTS) fielen am Dienstag im vorbörslichen Handel um etwa 10 %, nachdem Investoren den hohen GAAP-Nettverlust des Unternehmens in den Fokus rückten, obwohl die Umsätze im zweiten Quartal die Wall-Street-Erwartungen übertrafen. Das Halbleiterunternehmen für Leistungselektronik meldete für das zweite Quartal einen bereinigten Verlust von 0,04 USD je Ak...

TORRANCE, Calif., 27. Juli 2026 (GLOBE NEWSWIRE) -- Navitas Semiconductor, (Nasdaq: NVTS), ein Branchenführer für GaNFast™-Gallium-Nitrid (GaN) und GeneSiC™-Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-Halbleiter der nächsten Generation, gab heute ungeprüfte Finanzergebnisse für sein am 30. Juni 2026 endendes zweites Quartal 2026 bekannt.

Lizenzvereinbarung gewährt Magnachip Zugang zu Navitas' GeneSiC™ Gen 4 und Gen 5 SiC-Technologien für 1200 V, 2300 V, 3300 V und höhere Spannungen, unterstützt durch Navitas' Lieferkette und Materialökosystem

TORRANCE, Calif., 08. Juli 2026 (GLOBE NEWSWIRE) -- Navitas Semiconductor, (Nasdaq: NVTS), der Branchenführer für die nächste Generation von GaNFast™-Galliumnitrid (GaN) und GeneSiC™-Siliziumkarbid (SiC) Leistungs-Halbleitern, gab heute die folgende Erklärung in Bezug auf die von Wolfspeed eingereichte Klage wegen Patentverletzung heraus.